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　　半导体的理论研究和技术应用的进展为新型电子器件的诞生奠定了理论和技术条件。1925年，贝尔实验室的建立标志着美国工业实验进入基础研究和技术发展相结合的成熟阶段，为新型电子器件的诞生提供了新型的研究范式。1945年，贝尔实验室成立了以肖克利(William Shockley)和摩根(Stanley Morgan)领导的固体物理研究小组，其中肖克利还成立以布拉顿(Walter Brattain)、皮尔逊(Gerald Pearson)、吉布尼(Robert Gibney)和巴丁(John Bardeen)为核心成员的固体物理半导体研究分组。根据分工，皮尔逊研究硅晶体和锗晶体的特性，布拉顿研究半导体的表面现象，肖克利和巴丁负责实验的理论解释。根据肖克利的安排，巴丁着手研究“场效应”检验。实验中，当用锗晶体代替硅晶体时，出现了肖克利预测的场效应现象。1947年11月21日，在测量晶体上电位分布时巴丁向布拉顿偶然建议，用一根金属的尖端刺到硅片上，通过改变周围电解质的电压来改变点触下方的硅晶体的电阻，由此控制流入到接触点上的电流。此后，他们用锗晶体代替硅晶体，用各种方法不断缩小两个接触点之间的距离，终于在12月16日出现了功放系数高达450%的奇迹，一种新型的电子器件诞生了。1948年6月30日，这种新型电子器件被正式命名为晶体管(transistor)。